低导通电阻,高速开关 扩大了通用N沟(gou)道MOSFET产品阵容 XP23系列、XP26系列

2019年(nian)5月(yue)29日(ri)

特瑞仕半导(dao)体株式(shi)会社(日本东京都中(zhong)央区 董事(shi)总经理:芝宫(gong) 孝司 第一东京证券交易所:6616)开发了4种(zhong)XP23系(xi)列(30V耐(nai)压)产(chan)品(pin)、3种(zhong)XP26系(xi)列(60V耐(nai)压)产(chan)品(pin)作为MOSFET的新产(chan)品(pin)。

此次推出的7种(zhong)产品均是具有低导通电阻和高速开关(guan)(guan)特性的通用N沟道(dao)MOSFET产品。可用于(yu)各种(zhong)机(ji)器应用,如继电器电路和开关(guan)(guan)电路。内(nei)置了栅极保护二极管作为防静电措(cuo)施。

封装组件(jian)均采用了小型SOT-23(TO-236)(2.9 X 2.4 X h1.15mm),推动机(ji)器小型化。此外,产(chan)品对应(ying)EU RoHS 指令(ling)、无铅,是注重(zhong)环保的产(chan)品。

特瑞(rui)仕今后也将(jiang)根据市场需求迅速开发(fa)产品(pin),为实(shi)现富裕(yu)的社会继续做出贡献(xian)。




▲SOT-23(TO-236)封装(zhuang)


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